| 申请日期 | 2025-06-28 | 申请号 | CN201780045364.3 |
| 公开（公告）号 | CN109478452A | 公开（公告）日 | 2019-03-15 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 日立金属株式会社 | ||
| 简介 | 本发明的R－T－B系烧结磁体为包含主相晶粒和晶界相的R－T－B系烧结磁体，含有R：27.5质量％以上35.0质量％以下(R为稀土元素中的至少一种，必须含有Nd和Pr)、B：0.80质量％以上1.05质量％以下、Ga：0.05质量％以上1.0质量％以下、M：0质量％以上2质量％以下(M为Cu、Al、Nb、Zr的至少一种)、剩余部分T(T为Fe或Fe和Co)以及杂质。位于距磁体表面300μm的深度的上述主相晶粒的中央部中的Pr的浓度相对于Nd的浓度的比率Pr/Nd低于1，位于距磁体表面300μm的深度的二晶粒晶界内的Pr的浓度相对于Nd的浓度的比率Pr/Nd高于1，烧结磁体包含随着从磁体表面向磁体内部去Ga浓度逐渐减低的部分。 | ||
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