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R-T-B系烧结磁体的制造方法 发明申请

2023-05-21 2160 1790K 0

专利信息

申请日期 2025-07-08 申请号 CN201780045978.1
公开(公告)号 CN109478459A 公开(公告)日 2019-03-15
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 日立金属株式会社
简介 本发明包括:在R-T-B系烧结磁体的表面的涂布区域涂布粘接剂的涂布工序;使由作为重稀土元素RH的Dy和Tb中至少一种的合金或化合物的粉末形成的粒度调整粉末附着于R-T-B系烧结磁体的表面的涂布区域的附着工序;和在R-T-B系烧结磁体的烧结温度以下的温度进行热处理,使粒度调整粉末所含的重稀土元素RH从R-T-B系烧结磁体的表面扩散到内部的扩散工序。粒度调整粉末的粒度设定为:当将构成粒度调整粉末的粉末颗粒配置于R-T-B系烧结磁体的整个表面且形成1层颗粒层时,粒度调整粉末所含的重稀土元素RH的量相对于上述R-T-B系烧结磁体以质量比计在0.6~1.5%的范围内。


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