| 申请日期 | 2026-04-27 | 申请号 | CN200920241831.2 |
| 公开（公告）号 | CN201600442U | 公开（公告）日 | 2010-10-06 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 井冈山大学 | ||
| 简介 | 一种基于非晶薄带磁感应效应的磁场传感器，其特征是正弦交流信号发生器连接非晶薄带，非晶薄带连接峰值检波器，峰值检波器连接AD转换器，AD转换器连接数字显示器，非晶薄带上分别绕有自感线圈和偏置线圈。本实用新型的技术效果是：(1)微稀土化铁基非晶纳米晶薄带对应力变化不敏感，可以减小加工过程的应力对非晶薄带性能的影响；(2)只用了一个自感线圈和偏置线圈，并选用了低频(30kHz左右)正弦交流电压，使传感器的结构简单，成本较低；(4)在非晶薄带的轴向施加一个偏置磁场，用来调节磁芯的工作点，实现在小磁场范围内测量磁场的大小和方向。 | ||
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