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具有磁电效应的复合薄膜异质结及其制备方法 发明授权

2023-02-17 4580 691K 0

专利信息

申请日期 2025-07-10 申请号 CN200810098905.1
公开(公告)号 CN101286545B 公开(公告)日 2010-09-29
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 南京大学
简介 具有磁电效应的复合薄膜异质结,由具有压电效应的材料和具有磁致伸缩效应的材料复合而形成,特征是:所述的具有磁致伸缩效应的材料为稀土铁合金RFe2纳米薄膜,R为稀土元素;具有压电效应的材料为柔软的PVDF聚合物压电薄膜;两种薄膜的复合方式是:稀土铁合金RFe2纳米薄膜淀积在PVDF压电薄膜上而形成RFe2/PVDF双层纳米复合薄膜。该RFe2/PVDF双层纳米复合薄膜的制备方法:将RFe2团簇束流持续淀积在PVDF压电薄膜表面,形成RFe2纳米薄膜层。本发明中PVDF聚合物薄膜既是压电功能层,又是RFe2纳米薄膜层的衬底。本发明的复合薄膜异质结中界面应力传递更加有效,具有较强的磁电效应。


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