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一种钕铁硼磁体及其制备方法 发明授权

2023-08-23 1790 415K 0

专利信息

申请日期 2025-07-01 申请号 CN201610305312.2
公开(公告)号 CN105761861B 公开(公告)日 2019-03-12
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 江西金力永磁科技股份有限公司
简介 本发明提供了一种钕铁硼磁体,包括钕铁硼磁体毛坯和复合在其表面的RTMH合金层;所述R选自稀土元素中的一种或多种;所述T为Fe和/或Co;所述M选自Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Pt、Au、Pb和Bi中的一种或多种;所述H为氢元素。本发明采用在钕铁硼磁体表面涂覆RTMH合金层,不仅在磁体表面形成合金薄膜层,而且接界处能够产生晶界扩散渗透,使得磁体的矫顽力得到明显提高,又能保证磁体原有的剩磁和最大磁能积不发生明显的降低。


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