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绝缘体上半导体的衬底以及由该衬底所形成的半导体装置 发明授权

2023-05-20 3400 744K 0

专利信息

申请日期 2025-07-12 申请号 CN200580018330.2
公开(公告)号 CN1998088B 公开(公告)日 2010-08-25
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 先进微装置公司
简介 一种绝缘体上半导体(SOI)装置包含有钙钛矿晶格的介电质材料(52)层,例如稀土钪酸盐。该介电质材料(52)通过选定以便具有有效晶格常数,藉此能直接成长具有金刚石晶格的半导体材料(54)于该介电质(52)上。该稀土钪酸盐介电质的实施例包含:钪酸钆(GdScO3)、钪酸镝(DyScO3)、以及钪酸钆与镝的合金钪酸(Gd1-xDyxScO3)。


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