| 申请日期 | 2025-07-12 | 申请号 | CN200580018330.2 |
| 公开（公告）号 | CN1998088B | 公开（公告）日 | 2010-08-25 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | ||
| 简介 | 一种绝缘体上半导体(SOI)装置包含有钙钛矿晶格的介电质材料(52)层，例如稀土钪酸盐。该介电质材料(52)通过选定以便具有有效晶格常数，藉此能直接成长具有金刚石晶格的半导体材料(54)于该介电质(52)上。该稀土钪酸盐介电质的实施例包含：钪酸钆(GdScO3)、钪酸镝(DyScO3)、以及钪酸钆与镝的合金钪酸(Gd1-xDyxScO3)。 | ||
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