| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | CN201811584881.0 |
| 公开（公告）号 | CN109457159A | 公开（公告）日 | 2019-03-12 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京科技大学 | ||
| 简介 | 本发明属于粉末冶金技术领域，涉及一种高致密度细晶粒钨基材料的制备方法，方法为：S1.将稀土族的盐和聚合物用液相化学法制备粉末前驱体：S2.采用高能分散进行解团聚处理得到分散均匀的掺杂钨粉，再进行冷等静压成形, 得到成形坯；S3.采用两步烧结工艺制备高高致密度细晶粒钨基材料。基于无压烧结，强化金属钨烧结过程和控制钨晶粒长大。抑制烧结后期的晶粒长大来源于两个方面：一是利用第二相的弥散强化效果，二是低温两步烧结法利用晶界扩散和晶界迁移动力学的差异以控制晶粒长大。不仅可以降低金属钨的烧结致密化温度，还能有效防止钨晶粒的非均匀长大，获得具有高密度、晶粒小、热力学性能高的纳米晶均匀结构的金属钨材料。 | ||
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