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一种荧光稀土络合物硅纳米颗粒的制备方法 发明授权

2023-12-21 3880 673K 0

专利信息

申请日期 2025-06-24 申请号 CN200810070609.0
公开(公告)号 CN101225306B 公开(公告)日 2010-08-04
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 厦门大学
简介 一种荧光稀土络合物硅纳米颗粒的制备方法,涉及一种荧光硅纳米颗粒的制备,尤其是涉及一种将稀土络合物循环键合在硅纳米颗粒表面的制备荧光稀土络合物硅纳米颗粒的方法。提供一种可控性好,易实现,所制备的颗粒均匀,荧光强度高的荧光稀土络合物硅纳米颗粒的制备方法。将荧光稀土络合物键合在硅纳米颗粒的表面,并通过硅烷的循环枝接,多层修饰的策略,使得键合到硅纳米颗粒表面的络合物的数量达到最大,进而获得荧光强度高、稳定性好、易标记的荧光稀土络合物硅纳米颗粒。具体方法为制备纳米颗粒载体后,进行纳米颗粒表面的功能化;光稀土络合物的化学键合后,进行粒表面基团的枝接,再环枝接与多层修饰,最后光硅纳米颗粒表面的再次功能化。


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