| 申请日期 | 2025-11-25 | 申请号 | CN200910244208.7 |
| 公开（公告）号 | CN101792659A | 公开（公告）日 | 2010-08-04 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | ||
| 简介 | 本发明提供一种用于磁制冷的稀土-铜-硅材料，该稀土-铜-硅材料为以下通式的化合物：RCuSi，其中R为Ho、Er、Dy、Tb或Gd。本发明的稀土-铜-硅材料，在各自相变温度附近均具有大的磁熵变，其中HoCuSi的磁熵变高达33.1J/kg·K，远大于同温区磁制冷材料的磁熵变，并且具有较大磁制冷能力及良好的热、磁可逆性质，是非常理想的低温区磁制冷材料。 | ||
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