| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | CN200810044629.0 |
| 公开（公告）号 | CN101281806B | 公开（公告）日 | 2010-07-28 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 西南交通大学 | ||
| 简介 | 一种高分子辅助沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法，其具体作法是：a、无水溶液制备：按稀土或锆与铈的离子比x∶1-x，0.01≤x≤0.5称量稀土乙酸盐或稀土丙醇盐或稀土乙酰丙酮盐或丙醇锆或锆酸四丁酯与乙酰丙酮铈，溶解于有机溶剂中形成无水溶液；b、胶体制备：在无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛或聚乙二醇或聚乙烯基吡咯烷酮或聚乙烯醇或聚氧化乙烯形成胶体；c、胶体涂敷与干燥：将胶体涂覆在基片上并干燥；d、烧结成相：再将基片放入烧结炉，以5-100℃/min升至850℃-1150℃，保温0.25-2小时，以1-2℃/min降至室温。该方法制作工艺简单，操作控制容易，成本低，不污染环境；制备得到的氧化铈单层缓冲层的临界厚度达到150-200nm。 | ||
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