| 申请日期 | 2025-06-26 | 申请号 | CN200810044628.6 |
| 公开（公告）号 | CN101281805B | 公开（公告）日 | 2010-07-21 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 西南交通大学 | ||
| 简介 | 一种高分子辅助硝酸盐沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法，其作法是：a、无水溶液制备：按稀土或锆与铈的离子比x∶1-x 0.01≤x≤0.5称量稀土硝酸盐或硝酸锆与硝酸亚铈按，并溶解在N，N-二甲基甲酰胺中，形成无水溶液。b、胶体制备：在a步的无水溶液中加入聚丙烯酸或聚甲基丙烯酸。c、胶体涂敷与干燥：将b步制得的胶体涂覆在基片上并干燥。d、烧结成相：将干燥后的基片放入烧结炉中，将炉温以5-100℃/min的速度升至850℃-1150℃，保温0.25-2小时，随后将炉温缓慢降至室温。该法制作工艺简单，操作控制容易，成本低，不污染环境；制得的氧化铈单层缓冲层的厚度可达到150-200nm。 | ||
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