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电容结构 发明申请

2023-08-09 1170 528K 0

专利信息

申请日期 2025-08-07 申请号 TW098100096
公开(公告)号 TW201027573A 公开(公告)日 2010-07-16
公开国别 TW 申请人省市代码 全国
申请人 南亚科技股份有限公司
简介 本发明提供一种电容结构, 包含 : 一上电极; 一下电极; 一第一电容介电层, 设於该上电极和该下电极之间, 其中该第一电容介电层系选自下列群组 : 氧化铪(HfO2)、氧化锆(ZrO2)以及氧化钛(TiO2); 以及一第二电容介电层, 设於该上电极和该下电极之间, 其中该第二电容介电层系选自下列群组 : 镧系金属氧化物以及稀土金属氧化物。


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