| 申请日期 | 2025-06-27 | 申请号 | CN200910247541.3 |
| 公开（公告）号 | CN101775658A | 公开（公告）日 | 2010-07-14 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 苏州纳维科技有限公司 | ||
| 简介 | 一种掺杂稀土元素的化合物半导体材料，所述半导体材料是由III族元素和V族元素构成的晶体材料，并掺杂有稀土元素，所述晶体材料中进一步包括替位掺杂物，所述替位掺杂物为一种III族元素或多种III族元素的组合，且所含有的III族元素的原子序数小于构成晶体材料的III族元素的原子序数，所述替位掺杂物在晶体中替代原有的III族元素形成替位缺陷。本发明还提供了上述材料的制备方法。本发明的优点在于，通过在材料中掺杂原子序数较小的元素，形成替位缺陷，以改善半导体材料由于掺杂稀土元素而引起的晶格畸变，从而提高材料的发光效率。 | ||
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