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Al-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME 发明申请

2023-12-16 2600 2614K 0

专利信息

申请日期 2025-06-28 申请号 KR1020100059636
公开(公告)号 KR1020100080890A 公开(公告)日 2010-07-13
公开国别 KR 申请人省市代码 全国
申请人 KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO; KOBELCO RESEARCH INSTITUTE INC
简介 PURPOSE : An Al-group alloy sputtering target and a manufacturing method thereof are provided to increase deposition rate by controlling crystal orientation vertically to the surface of sputtering.CONSTITUTION : An Al-group alloy sputtering target contains Ni 0.05-10 atomic%%. When vertical direction crystal orientation, , and are observed by the electron back-scatter diffraction pattern method on the sputtering surface of the Al-system alloy sputtering target The Al- system alloy sputtering target additionally contains rare earth materials 0.1-2 atomic%%.COPYRIGHT KIPO 2010


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