客服热线:18202992950

CAPACITOR STRUCTURE 发明申请

2023-10-09 3700 295K 0

专利信息

申请日期 2026-03-10 申请号 US12399020
公开(公告)号 US20100172065A1 公开(公告)日 2010-07-08
公开国别 US 申请人省市代码 全国
申请人 HUANG TSAI YU; NIEH SHIN YU; CHANG HUI LAN
简介 A capacitor structure includes : a top electrode, a bottom electrode, a first capacitor dielectric layer positioned between the top electrode and the bottom electrode and a second capacitor dielectric layer positioned between the top electrode and the bottom electrode. The first capacitor dielectric layer is selected from the group consisting HfO2, ZrO2, and TiO2. The second capacitor dielectric layer is selected from the group consisting of lanthanide oxide series and rare earth oxide series.


您还没有登录,请登录后查看下载地址


反对 0举报 0 收藏 0 打赏 0评论 0
下载排行
网站首页  |  关于我们  |  联系方式  |  使用协议  |  版权隐私  |  网站地图  |  排名推广  |  广告服务  |  积分换礼  |  网站留言  |  RSS订阅  |  违规举报  |  京ICP备2021025988号-4