发光器件发明申请

2023-02-23 4370 572K 0

申请日期	2025-07-15	申请号	CN200910265544.X
公开（公告）号	CN101771118A	公开（公告）日	2010-07-07
公开国别	CN	申请人省市代码	全国
申请人	LG伊诺特有限公司
简介	本发明公开一种发光器件。所述发光器件包括：第二导电半导体层、在所述第二导电半导体层上的有源层、在所述有源层上的第一导电半导体层、以及在所述第一导电半导体层的一部分中的稀土元素注入层。

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