| 申请日期 | 2025-07-16 | 申请号 | CN201010017135.0 |
| 公开（公告）号 | CN101748382A | 公开（公告）日 | 2010-06-23 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | ||
| 简介 | 本发明揭示了一种分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法，在生长过程中掺杂稀土离子，取代部分Ga3+的晶格格位，其特征在于：在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入III族元素硼或铝，在生长过程中所述III族元素硼或铝以三价离子的形式进入GaN晶格，调配稀土离子和Ga3+之间的离子半径差；所述原料配方摩尔比例为：Ga∶Re∶A＝(1-x-y)∶x∶y，其中Re表示稀土金属，A表示III族元素硼或铝，0.1％≤x≤10.0％，0.1x≤y≤x。本发明由于采用了III族元素硼或铝和稀土金属按一定配比进行共掺，从而能在很大程度上改善因为Re3+和Ga3+之间较大的半径失配而造成的GaN晶体膜晶格畸变，从而提高GaN晶体膜的发光性能。 | ||
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