| 申请日期 | 2025-06-28 | 申请号 | CN200910242983.9 |
| 公开（公告）号 | CN101748488A | 公开（公告）日 | 2010-06-23 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国地质大学(北京) | ||
| 简介 | 本发明涉及一种新型稀土Ln-Sialon单晶体及其制备方法，属于单晶材料和发光材料技术领域。本发明以镧系稀土元素的单质Ln、化合物Ln2O3、LnN和LnX3(其中X选自F、Cl、Br和I，Ln为选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu)，Si、Si3N4和SiO2，以及Al、AlN和Al2O3等为原料，也可以选择添加过渡金属(Fe/Co/Ni/Cu/Ag/Au)及含过渡金属的化合物为催化剂，在非氧化性气氛、气氛压力1Pa～50MPa、温度1400℃～2500℃、反应时间0.1小时～100小时的条件下，制备得到Ln-Sialon单晶体，其化学式为LnSi6-zAl1+zOzN10-z。所述Ln、LnX3、Ln2O3和LnN占总配料的质量比为0.1％～99％，Si、Si3N4和SiO2占总配料的质量比为0.1％～99％，Al、AlN和Al2O3占总配料的质量比为0.1％～99％。制备的Ln-Sialon单晶具有优良的力学性能和荧光性能，可用于白光LED、探测器阵列、光学组件和微电机系统(MEMS)等。 | ||
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