| 申请日期 | 2025-07-07 | 申请号 | CN03811443.7 |
| 公开（公告）号 | CN1656607B | 公开（公告）日 | 2010-06-16 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 三星电子株式会社; 独立行政法人产业技术总合研究所 | ||
| 简介 | 提供使用通过加热引发的化学反应和扩散制造化合物半导体和化合物绝缘体的方法，使用该方法形成的化合物半导体和化合物绝缘体，以及包括该化合物半导体或化合物绝缘体的光电池、电子电路、晶体管和存储器。制造化合物半导体或化合物绝缘体的该方法包括：形成叠层结构，其包括置于含氧和/或硫的电介质层之间的对氧和/或硫是高度活性的稀土金属或过渡金属的硫化物或氧化物中间层；以及加热该叠层结构，从而在电介质层与中间层之间引发化学反应和扩散，其中为了化合物半导体和化合物绝缘体，在不同温度下进行该加热。 | ||
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