| 申请日期 | 2025-08-08 | 申请号 | CN03824140.4 |
| 公开（公告）号 | CN1689146B | 公开（公告）日 | 2010-05-26 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 富士通微电子株式会社 | ||
| 简介 | 在Si衬底(11)的表面形成p阱(12)，形成元件分离绝缘膜(13)。接着，在整个面上形成薄的SiO2膜(14a)，在其上作为绝缘膜(14b)形成含有稀土类金属(例如La、Y)和Al的氧化膜。而且，在绝缘膜(14b)上形成多晶硅膜(15)。然后，通过进行例如1000℃左右的热处理，使SiO2膜(14a)和绝缘膜(14b)进行反应，形成含有稀土类金属和Al的硅酸盐膜。即，将SiO2膜(14a)和绝缘膜(14b)成为单一的硅酸盐膜。 | ||
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