| 申请日期 | 2025-08-19 | 申请号 | CN200580008928.3 |
| 公开（公告）号 | CN1954395B | 公开（公告）日 | 2010-05-26 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 独立行政法人科学技术振兴机构; 日立金属株式会社; 并木精密宝石株式会社 | ||
| 简介 | 本发明提供了一种R-Fe-B系薄膜磁铁，在物理成膜的含有28-45质量％的R元素(其中，R是镧系稀土元素中的1种或2种以上)的R-Fe-B系合金中，具有晶粒直径0.5-30μm的R2Fe14B晶体和在该晶体边界处富集R元素的晶界相的复合组织。该薄膜磁铁的磁化性提高。在物理成膜过程中和/或随后的热处理中，通过加热至700-1200℃，进行晶粒生长和形成富集R元素的晶界相，由此，可以制造上述R-Fe-B系薄膜磁铁。 | ||
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