| 申请日期 | 2025-07-07 | 申请号 | CN200920191189.1 |
| 公开（公告）号 | CN201485534U | 公开（公告）日 | 2010-05-26 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 嘉兴市中科光电科技有限公司 | ||
| 简介 | 一种太阳能单晶硅制备用磁场装置，它主要由N磁极、S磁极、两块轭板、支撑立柱构成，所述的两块轭板的一端分别固定有N磁极和S磁极，另一端通过螺栓固定在连接板上，形成一个闭合磁系回路；两块轭板和连接板均通过支撑立柱安装在单晶炉设备的两侧，使N磁极和S磁极相对，且在N磁极和S磁极四周安装有屏蔽体；所述的N磁极由若干块稀土钕铁硼拼接构成，所述的S磁极由若干块铁氧体拼接构成，N磁极和S磁极构成不对称磁系，该磁系中心的磁场强度为800-900GS，且磁场中心与单晶炉结晶位置平齐，磁力线范围正好完全覆盖坩埚中的硅溶液；本实用新型通过对单晶炉加装磁场用以抑制硅溶液对流现象，减少硅溶液对石英坩埚的冲刷，降低硅溶液与石英坩埚的反应速度，从而减少氧进入熔体，提高硅片性能指标，进而提高了太阳能电池的性能。 | ||
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