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Method of insulating film 发明授权

2023-08-04 4290 260K 0

专利信息

申请日期 2025-07-11 申请号 JP2006267832
公开(公告)号 JP4466629B2 公开(公告)日 2010-05-26
公开国别 JP 申请人省市代码 全国
申请人 Casio Computer Co Ltd1443
简介 A method of manufacturing an electrical insulation film includes (i) forming an R film containing at least one rare earth element R selected from the group including Sc, Y, La, Gd, Dy, Ho, Er, Tm, and Lu on at least a portion of a surface of a metal substrate where an electrical insulation property is needed, (ii) hydrogenating the R film under an inert gas atmosphere, which contains a hydrogen gas, to form an RH2 film; and (iii) oxidizing the RH2 film to form an R2O3 film.


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