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强磁场作用下制备磺化聚醚醚酮质子交换膜的方法 发明授权

2023-07-04 2370 315K 0

专利信息

申请日期 2025-07-18 申请号 CN200710047477.5
公开(公告)号 CN101224396B 公开(公告)日 2010-05-19
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 上海大学
简介 本发明涉及一种强磁场作用下制备磺化聚醚醚酮质子交换膜的方法。该方法采用强磁场对未改性或稀土改性的SPEEK质子交换膜进行处理,所得质子交换膜的电导率在20℃~100℃达到0.30×10-2~9.90×10-2Scm-1、阻醇系数达到1.00×10-7~8.50×10-7cm2s-1。


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