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介电陶瓷和单片陶瓷电容器 发明授权

2023-09-28 2170 1368K 0

专利信息

申请日期 2025-06-25 申请号 CN200580028204.5
公开(公告)号 CN101006027B 公开(公告)日 2010-05-05
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 株式会社村田制作所
简介 构成陶瓷烧坯的介电陶瓷具有通式100(Ba1-x-ySrxCay)m(Ti1-zZrz)O3+aBaO+bR2O3+cMgO+dMnO+eCuO+fV2O5+gXuOv(式中,R是特定的稀土元素比如La、Ce或Pr;而XuOv是至少含有Si的氧化物组)所示的组成;并且0≤x≤0.05,0≤y≤0.08(优选0.02≤y≤0.08),0≤z≤0.05,0.990≤m,100.2≤(100m+a)≤102,0.05≤b≤0.5,0.05≤c≤2,0.05≤d≤1.3,0.1≤e≤1.0,0.02≤f≤0.15和0.2≤g≤2。使用这种组成,可以制备这样的一种单片陶瓷电容器:即使在因其介电层被进一步变薄而导致被施加高电场强度的电压时,也保持良好的介电特性和温度特性,并且在实现良好的绝缘性质、介电强度和高温负载寿命上具有优异的可靠性。


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