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单芯多掺稀土离子区双包层光纤及其制作方法 发明申请

2023-01-28 2540 385K 0

专利信息

申请日期 2025-07-07 申请号 CN200910236162.4
公开(公告)号 CN101694534A 公开(公告)日 2010-04-14
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 北京交通大学
简介 单芯多掺稀土离子区双包层光纤及其制作方法,属于大功率宽带光纤放大器、激光器、特种光纤领域,同时放大O、E、S,C,L,U/XL波段的信号。该双包层光纤单芯结构,容易与普通光纤直接熔接,其芯层包括N个独立的不完全相同的掺稀土离子区,2≤N≤20。其制作步骤:步骤一,将2≤N≤20根掺稀土离子双包层光纤的预制棒拉制成芯层直径相等的细棒,并将这些细棒的外包层除掉;步骤二,对去掉外包层的N根细棒进行处理,使得细棒的芯层成扇形;步骤三,将处理后的N根细棒组织起来,套上石英管,拉制成单芯多掺稀土离子区双包层光纤。采用光纤预制棒来制作单芯多掺杂光纤,简化了制作工艺,结构紧凑,受环境影响小。


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