| 申请日期 | 2025-06-24 | 申请号 | CN200710036662.4 |
| 公开（公告）号 | CN101008056B | 公开（公告）日 | 2010-04-07 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 华东理工大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种用于集成电路引线框架的合金材料及其制备方法。所说的合金材料由单质铜、单质钒和稀土元素组成，以所述铜合金的总重量为100％计，钒的含量为0.05wt％～5.00wt％，稀土元素的含量为0.01wt％～1.00wt％。其中，所说的稀土元素是指：镧系中各元素、锕系中各元素、钪元素或钇元素，或两种或两种以上所说元素的混合。本发明首先制得中间合金Cu-V和Cu-RE，然后将单质铜在真空条件下熔化，并将制得的中间合金按照一定的重量分数添加到单质铜熔体中，经保温、浇注和铸后处理得Cu-V-RE合金。本发明制备的铜合金(Cu-V-RE)，其抗拉强度可达580Mpa，导电率可达80％IACS。 | ||
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