| 申请日期 | 2026-04-25 | 申请号 | CN200880013542.5 |
| 公开（公告）号 | CN101669180A | 公开（公告）日 | 2010-03-10 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 旭化成株式会社; 国力大学法人东京工业大学 | ||
| 简介 | 本发明的目的是提供磁导率高、涡电流损失小的高频用磁性材料，特别是适用于在 1GHz以上的超高频区域下发挥功能的信息机器等的高频用磁性材料。本发明是含有稀土 类-铁-氮系磁性材料以及表面包覆了铁酸盐系磁性材料的稀土类-铁-氮系磁性材料 的高频用复合磁性材料。 | ||
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