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HYDRIDE GAS PURIFICATION FOR THE SEMICONDUCTOR INDUSTRY 发明授权

2023-05-29 2280 466K 0

专利信息

申请日期 2025-06-25 申请号 KR1020067001411
公开(公告)号 KR100945095B1 公开(公告)日 2010-02-23
公开国别 KR 申请人省市代码 全国
申请人 ENTEGRIS INC
简介 A method for hydride gas purification uses materials having at least one lanthanide metal or lanthanide metal oxide. The method reduces contaminants to less than 100 parts per billion (ppb), preferably 10 ppb, more preferably 1 ppb. The material can also include transition metals and transition metal oxides, rare earth elements and other metal oxides. The invention also includes materials for use in the method of the invention.


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