| 申请日期 | 2025-07-20 | 申请号 | CN200880009802.1 |
| 公开（公告）号 | CN101641806A | 公开（公告）日 | 2010-02-03 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 佳能株式会社; 国立大学法人东京工业大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了外延膜，其包括：加热Si衬底，在该衬底的表面上 设置有具有1.0nm～10nm膜厚的SiO2层；和通过使用由以下组成式(1) 表示的金属靶在该SiO2层上形成由以下组成式(2)表示的外延膜： yA(1-y)B (1)， 其中A为选自由包括Y和Sc的稀土元素组成的组的一种或多种元 素，B为Zr，且y为0.03～0.20的数值， xA2O3-(1-x)BO2 (2)， 其中A和B为分别与组成式(1)的A和B相同的元素，且x为 0.010～0.035的数值。 | ||
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