| 申请日期 | 2025-09-18 | 申请号 | CN200910088519.9 |
| 公开（公告）号 | CN101630559A | 公开（公告）日 | 2010-01-20 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京工业大学 | ||
| 简介 | 一种用于信息存储的(GeTe)a(Sb2Te3)b基稀磁半导体材料，其特征在于对 (GeTe)a(Sb2Te3)b合金进行掺杂，掺杂剂量原子百分含量大于0并且小于40％， 掺杂元素为磁性元素铁、钴、镍、锰或稀土元素中的一种，或为几种的混合 掺杂。本发明是在外部能量的作用下可实现晶态与非晶态之间可逆转变的材 料。该材料在发生可逆转变的前后可以实现电阻值在2倍至几个数量级范围 内的变化；同时，该材料在可逆转变前后的光反射率不同；进一步，该材料 在可逆转变前后的会发生磁性的变化或两者的磁化强度有着一定的差别，当 磁探测器扫描过时，非晶相和晶体相这两个不同区域中记录的不同磁信号就 被探测出来或被转换成电信号探测出来，并分别被表达为0和1，可应用于相 变存储、光存储和磁存储。 | ||
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