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一种Mg2+掺杂NaREF4上转换荧光材料及其制备方法 发明授权

2023-01-28 2260 1170K 0

专利信息

申请日期 2025-06-26 申请号 CN201610110789.5
公开(公告)号 CN105694888B 公开(公告)日 2019-02-26
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 武汉理工大学
简介 本发明属于发光材料技术领域,具体涉及一种Mg2+掺杂NaREF4上转换荧光材料及其制备方法。所述上转换荧光材料表达式为NaREF4 : x%Mg2+,其中RE是由稀土敏化离子Yb3+、激活离子(Er3+、Tm3+、或Ho3+)和基质离子(Gd3+、Y3+、Lu3+、或La3+)组成,稀土敏化离子Yb3+、激活离子和基质离子的物质的量比为20:2:78×(1‑x%),x的取值为0~100。本发明制备得到的NaREF4 : x%Mg2+上转换荧光材料具有高度分散、大小均一,发光强度高的特性,在固体激光器、太阳能电池、红外辐射探测和生物医学成像等领域具有潜在的应用价值。


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