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碳酸氧化镧基纳米荧光粉体及其制备方法 发明申请

2023-10-02 3360 995K 0

专利信息

申请日期 2025-07-09 申请号 CN200810071336.1
公开(公告)号 CN101619212A 公开(公告)日 2010-01-06
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国科学院福建物质结构研究所
简介 本发明涉及一种碳酸氧化镧基纳米荧光粉体及其制备方法。本发明采用前 驱体热解的工艺步骤,热解温度范围为400-750℃。本发明中,掺杂稀土离子 部分取代La2O2CO3中的La离子,掺杂后碳酸氧化纳镧基纳米荧光粉体的通式 可以表示为:(La1-xREx)2O2CO3,RE可选用Dy3+或Er3+或Nd3+或Ho3+或Yb3+ 或Tm3+或Tb3+或Eu3+或Sm3+或Pr3+中的一种,x表示掺杂离子的摩尔量,0≤x≤0.2。 该纳米荧光粉体,颗粒细小,具有片状形貌,薄片厚度大部分在10-50nm范 围内。本发明制备的碳酸氧化镧基纳米荧光粉体可应用于显示、照明、防伪、 光电器件等方面及其相关领域中的用途。


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