| 申请日期 | 2025-06-26 | 申请号 | CN200910055732.X |
| 公开（公告）号 | CN101620992A | 公开（公告）日 | 2010-01-06 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 苏州纳维科技有限公司 | ||
| 简介 | 一种半导体衬底的生长方法，包括如下步骤：提供支撑衬底；提供第一反 应气体，所述第一反应气体中含有III族元素与卤族元素；提供第二反应气体， 所述第二反应气体中含有稀土元素与卤族元素；提供第三反应气体，所述第三 反应气体中含有V族元素；将第一、第二和第三反应气体相互混合；加热支撑 衬底并将混合后的气体通过加热的支撑衬底表面，从而形半导体层，其厚度不 小于20微米。本发明的优点在于，三种气体在生长之前进行了预先混合，能 够使III族原子和稀土元素的原子相互充分扩散，使得稀土元素的原子在半导 体层中均匀分布。并且采用含有卤族元素的III族反应气体能够提高III族元素 在反应气体中的浓度，从而加速半导体层的沉积速度，因此生长速度快。 | ||
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