| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | CN200910055731.5 |
| 公开（公告）号 | CN101621103A | 公开（公告）日 | 2010-01-06 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 苏州纳维科技有限公司 | ||
| 简介 | 一种发光二极管，包括N型半导体层、P型半导体层和夹在两者之间的发 光层，所述发光二极管还包括光激发层，所述光激发层由掺杂有稀土元素的 III-V族化合物半导体材料构成。本发明进一步提供了一种生长上述发光二极 管的方法。本发明的优点在于，采用掺杂有稀土元素的半导体材料作为光激发 层代替现有的荧光粉，并且光激发层的厚度大于10微米，以保证激发光的强 度足以匹配发光层辐射光的强度，避免混合后的白光发生色偏。光激发层在长 时间工作的情况下也不会出现衰减现象。 | ||
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