| 申请日期 | 2025-07-18 | 申请号 | CN200910054967.7 |
| 公开（公告）号 | CN101613856A | 公开（公告）日 | 2009-12-30 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种铝掺杂α相氮化硅(α-Si3N4)基材料和进一步掺杂稀土元素铕的铝掺杂 α相氮化硅(α-Si3N4)基材料，及其制备方法。本发明的铝掺杂α相氮化硅(α-Si3N4)基材料 光学带宽约为2.64eV，相比于纯净氮化硅其光学带宽大大降低，使得它在半导体光电器 件方面的应用成为可能；掺杂稀土元素Eu的铝掺杂α相氮化硅(α-Si3N4)基材料呈现出以 582nm为中心、半高宽为100nm的黄-橙色发射光谱，具有优良的发光性能，使得它在半 导体固态照明的应用方面的应用成为可能。 | ||
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