非易失性半导体存储器件及其制造方法发明授权

2023-10-23 1700 1888K 0

申请日期	2025-07-01	申请号	CN200710086346.8
公开（公告）号	CN100565931C	公开（公告）日	2009-12-02
公开国别	CN	申请人省市代码	全国
申请人	株式会社东芝
简介	本发明涉及一种非易失性半导体存储器件中的存储单元，其包括隧穿绝缘膜、由包含Si的导电材料制成的浮动栅电极、由稀土氧化物、稀土氮化物或稀土氧氮化物制成的电极间绝缘膜、控制栅电极、以及在浮动栅电极和电极间绝缘膜之间形成的金属硅化膜。

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