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一种亚微米结构顶层含钪阴极及其制备方法 发明申请

2023-07-13 3540 1885K 0

专利信息

申请日期 2026-04-27 申请号 CN201811441984.1
公开(公告)号 CN109390195A 公开(公告)日 2019-02-26
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 北京工业大学
简介 一种亚微米结构顶层含钪阴极及其制备方法,属于稀土难熔金属热阴极材料技术领域。采用溶胶凝胶加氢气还原的方法制备亚微米级氧化钪掺杂难熔金属粉末,经过压制微波烧结得到亚微米结构顶层含钪难熔金属基体;对难熔金属粉末进行压制烧结制得难熔金属阴极基体,将阴极基体浸渍阴极发射活性盐并进行退火处理得到基底难熔金属阴极,最后通过焊接的方式如激光焊、钎焊等制备亚微米结构顶层含钪阴极。本发明制得的亚微米结构顶层含钪阴极具有发射电流密度大,发射均匀性好的特点,经充分激活后,在950℃工作温度下,最高发射电流密度可达100A/cm2,发射斜率达1.41以上。


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