| 申请日期 | 2026-03-09 | 申请号 | TW098109666 |
| 公开（公告）号 | TW200947483A | 公开（公告）日 | 2009-11-16 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 京瓷股份有限公司 | ||
| 简介 | 一种积层陶瓷电容器，其系将(i)包含介电陶瓷之介电体层与(ii)内部电极层交替积层而形成者，该介电陶瓷系由以钛酸钡为主成分之结晶粒子构成，且包含特定量之镁、钒、锰、及铽，与自钇、镝、钬及铒中选出之至少1种稀土类元素；并且於上述介电陶瓷之X射线绕射图中，立方晶之表示钛酸钡之(200)面的绕射强度大於正方晶之表示钛酸钡之(002)面的绕射强度，且居里温度为110～120℃。 | ||
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