| 申请日期 | 2025-06-24 | 申请号 | TW098109676 |
| 公开（公告）号 | TW200947484A | 公开（公告）日 | 2009-11-16 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 京瓷股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明系一种积层陶瓷电容器，其系由(i)包含介电陶瓷之介电质层与(ii)内部电极层交替积层而形成者，该介电陶瓷系由以钛酸钡为主成分之晶粒构成，且包含既定量之钙、镁、钒、锰、铽及自钇、镝、钬及铒中选择之至少一种稀土类元素，且於上述介电陶瓷之X射线绕射图中，表示立方晶之钛酸钡之(200)面之绕射强度系大於表示正方晶之钛酸钡之(002)面之绕射强度，且居里温度为90～100℃。 | ||
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