| 申请日期 | 2025-06-28 | 申请号 | CN200910086811.7 |
| 公开（公告）号 | CN101575211A | 公开（公告）日 | 2009-11-11 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京工业大学 | ||
| 简介 | 一种(SmxBa1-x)B6多晶块体阴极及其制备方法属于稀土硼化物材料技术 领域。本发明所提供的阴极材料的化学组成为(SmxBa1-x)B6，0.2≤x≤1。 本发明首先采用直流电弧蒸发法分别制备SmH2和BaH2纳米粉末，再与原料 B粉末按配比混均，采用放电等离子反应液相烧结，压力为40～70MPa，升 温速率为90～150℃/min，烧结温度为1300～1500℃，保温5～15min，制 得单相、致密的(SmxBa1-x)B6。本发明方法烧结温度低、时间短，工艺简单。 | ||
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