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DICHALCOGENIDE THERMOELECTRIC MATERIAL 发明申请

2023-05-31 3210 109K 0

专利信息

申请日期 2025-06-24 申请号 JP2009091508
公开(公告)号 JP2009253301A 公开(公告)日 2009-10-29
公开国别 JP 申请人省市代码 全国
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
简介 PROBLEM TO BE SOLVED : To provide a dichalcogenide thermoelectric material having a large power factor and a very low thermal conductivity. SOLUTION : The dichalcogenide thermoelectric material has a structure of formula 1 below : RX2-aYa, wherein R is a rare earth or transition metal magnetic element, X and Y are each independently an element selected from the group consisting of S, Se, Te, P, As, Sb, Bi, C, Si, Ge, Sn, B, Al, Ga, In and a combination thereof, and 0≤a<2. COPYRIGHT : (C)2010, JPO&INPIT


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