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一种深低温氧化物热敏电阻材料及其制造方法 发明授权

2023-05-27 4210 541K 0

专利信息

申请日期 2025-06-27 申请号 CN200510106550.2
公开(公告)号 CN100555479C 公开(公告)日 2009-10-28
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国科学院新疆理化技术研究所
简介 本发明涉及一种深低温氧化物热敏电阻材料,该材料是用碳酸锶 或氧化锶和三氧化二钴进行直接固相反应或用硝酸盐采用化学方法 合成非化学计量的钙钛矿结构氧化物材料,经测试其参数与已有的在 液氧、液氮、液氢温度下使用的定型产品相比,得出的元件可在 4.2K-20K温度下使用,且使用温区比较宽,由于不含稀土元素也降 低了成本。


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