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DICHALCOGENIDE THERMOELECTRIC MATERIAL 发明申请

2023-07-27 1830 733K 0

专利信息

申请日期 2025-06-26 申请号 US12418225
公开(公告)号 US20090250651A1 公开(公告)日 2009-10-08
公开国别 US 申请人省市代码 全国
申请人 Jong soo RHYEE; Sang mock LEE
简介 A dichalcogenide thermoelectric material having a very low thermal conductivity in comparison with a conventional metal or semiconductor is described. The dichalcogenide thermoelectric material has a structure of Formula 1 below : [in-line-formulae]RX2-aYa  Formula 1[/in-line-formulae] wherein R is a rare earth or transition metal magnetic element, X and Y are each independently an element selected from the group consisting of S, Se, Te, P, As, Sb, Bi, C, Si, Ge, Sn, B, Al, Ga, In, and a combination thereof, and 0≦a<2.


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