申请日期 | 2025-07-10 | 申请号 | TW098104656 |
公开(公告)号 | TW200940477A | 公开(公告)日 | 2009-10-01 |
公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
申请人 | 日本碍子股份有限公司 | ||
简介 | 本发明提供一种氧化钇材料及其制造方法,能够进一步提高氧化钇材料的机械性强度。作为半导体制造装置用构件的静电卡盘(20)的基体(22)是由氧化钇材料所构成,该氧化钇材料至少包括:氧化钇(Y2O3)、碳化矽(SiC)、以及含有RE(稀土类元素)、Si、O和N的化合物。该氧化钇材料含有以RE为La、Y等的RE8Si4N4O14作为含RE(稀土类元素)、Si、O和N的化合物。该RE8Si4N4O14是由作为原料的主成分的Y2O3和作为原料添加的Si3N4等在烧结过程中产生的化合物。通过氧化钇中含有的SiC及该化合物来提高机械性强度和体积电阻率。 |
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