| 申请日期 | 2025-06-30 | 申请号 | CN200910048392.8 |
| 公开（公告）号 | CN101545133A | 公开（公告）日 | 2009-09-30 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 上海应用技术学院 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种稀土铁氧体磁光材料RFeO3晶体(R为Y、Gd、 Tm、Nd、Sm、Eu、Ho、Yb等稀土元素)的生长方法，属于单晶生 长领域。即R2O3和Fe2O3形成的初烧料与PbO+PbF2+B2O3复合助熔 剂混合均匀后，放入铂金坩埚内气密后，将坩埚置于下降炉内，升温 熔化原料，通过控制炉温、调节坩埚底部的气流量或水流量、优化固 液界面温度梯度和生长速度等参数，实现不同化学组成的该系列稀土 磁光晶体的生长。本发明通过助熔剂降低了晶体生长温度，同时坩埚 底部通气或通水造成局部过冷并快速成核，从而生长出大尺寸的 RFeO3单晶。同时具有设备简单、一炉多产、成本低有利于实现晶体 的批量生产等。 | ||
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