| 申请日期 | 2025-07-20 | 申请号 | CN200910138784.3 |
| 公开（公告）号 | CN101546630A | 公开（公告）日 | 2009-09-30 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | Z能源电力有限公司 | ||
| 简介 | 本发明涉及包含至少一个衬底和一个由氧化材料形成的织构化缓冲层的高 温超导体层配置体，所述缓冲层允许高温超导体织构化生长。令人惊讶地，适 当时，可以在仅一次涂覆操作中用稀土元素铈氧化物形成的缓冲材料层制备均 匀缓冲层，所述缓冲材料包含镧作为稀土元素。缓冲层材料可以是由通式Ln′2-xLn ″xCe′2-yM″yO7±z表示的稀土氧化物，且0≤x，y，z≤1，其中Ln′和Ln″是彼此独 立的稀土元素，并且M″是三价或四价或五价的金属。 | ||
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