| 申请日期 | 2025-08-19 | 申请号 | CN200880000095.X |
| 公开（公告）号 | CN101541996A | 公开（公告）日 | 2009-09-23 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | ||
| 简介 | 本发明的目的是提供至少含Dy的R-T-B型合金，其中R是至少一种 选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Ho、Er、Tm、 Yb和Lu的元素；T是含有80质量％或更多Fe的过渡金属；且B是含有 50质量％或更多硼(B)并还含有0至小于50质量％的C和N中至少一 种元素的元素，所述R-T-B型合金作为具有优异磁特性的稀土基永磁体的 原材料，且本发明中提供的R-T-B型合金包括表现出磁性的主相，例如 R2T14B相；与总体合金组成比相比相对富含R的富R相；和靠近富R相 形成的与总体合金组成比相比相对富含Dy的富Dy区域。 | ||
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