| 申请日期 | 2025-07-10 | 申请号 | TW092124653 |
| 公开（公告）号 | TWI314949B | 公开（公告）日 | 2009-09-21 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 清美化学股份有限公司; 旭硝子股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明系提供一种将具有C-Si键与Si-O键之有机矽材料所构成之绝缘膜用於半导体积体电路後, 於其表面研磨中使用含有水与选自由稀土类氢氧化物、稀土类氟化物、稀土类氟氧化物、氧化铈以外之稀土类氧化物中之1种以上及此等复合化合物所成群之特定稀土类化合物粒子之研磨剂组成物、或该组成外更含有氧化铈粒子之研磨剂组成物。可赋与无裂化、刮伤、膜剥落等缺陷、或极小缺陷之高品质研磨表面者。 | ||
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