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LIGHT EMITTING DIODE 发明申请

2023-07-06 3900 107K 0

专利信息

申请日期 2026-04-21 申请号 JP2008053944
公开(公告)号 JP2009212308A 公开(公告)日 2009-09-17
公开国别 JP 申请人省市代码 全国
申请人 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES; FUJIWARA YASUFUMI
简介 PROBLEM TO BE SOLVED : To provide a light emitting diode achieving white light of uniform tone and long service life. SOLUTION : The light emitting diode 1A includes a gallium nitride substrate 15, an active layer 5 of a nitride semiconductor formed on a main surface 15a of the gallium nitride substrate 15 and a light emitting layer 10 of a nitride semiconductor containing rare earth elements and having first to third nitride semiconductor layers 11-13 absorbing ultraviolet rays Lu generated from the active layer 5 to respectively emit a red light ray Lr, a green light ray Lg and a blue light ray Lb. COPYRIGHT : (C)2009, JPO&INPIT


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